中微半导体请求种射频发生器半导体处理设备及使用方法专利完成直流电压信号变换为高频高压脉冲信号

  金融界2025年1月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南昌中微半导体设备有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“种射频发生器、半导体处理设备及使用方法”的专利，揭露号 CN 119382671 A，请求日期为 2024年12月。

  专利摘要显现，本发明揭露一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法，所述射频发生器，包含：电容器；高压电源，其正极与电容器的榜首极板衔接，其负极与电容器的第二极板衔接，其用于对电容器充电；电容器充电完成后输出直流电压信号，直流电压信号的电压值大于 1KV；榜首开关，其正极与负载衔接，其负极与第二极板衔接；榜首开关以预设频率进行断开和闭合，以将直流电压信号变换为榜首高频高压脉冲信号并施加至负载；且预设频率不小于 400KHZ，榜首开关的额外电压大于 1KV；榜首二极管，其正极与榜首开关和负载的衔接线衔接，其负极衔接榜首电位接点；榜首二极管用于在榜首开关断开时开释衔接线上发生的榜首反向电压。

  天眼查资料显现，南昌中微半导体设备有限公司，成立于2017年，坐落南昌市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱2500万人民币，实缴本钱100万人民币。经过天眼查大数据分析，南昌中微半导体设备有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目149次，专利信息26条，此外企业还具有行政许可22个。

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