2026年是国内电子产业转型的关键的一年，国产算力芯片龙头正进入业绩兑现期，先进制程的扩产直接决定了下游产能的释放。目前电子行业的投资重心正从传统的消费逻辑转向以AI为核心的基础设施建设。

  本次梳理基于最新的行业研究报告，主要围绕国产云端算力、端侧SoC、3D DRAM、端侧模型架构、AI终端新品、长鑫存储链条、晶圆代工趋势、高端PCB材料、光铜互联技术和服务器电源供电架构这十个核心维度展开。

  国产算力的自主化进程在2026年将迎来爆发，不单单是单卡实力的较量，更演变成了对“运力”的全面大考。算力集群的互联方式正在发生根本性变革，行业重心从传统的机柜间Scale-Out网络转向机柜内部的Scale-Up网络，利用NVLink、UALink或PCIe等协议，通过缩短传输距离来实现更高的带宽和更低的延迟。

  2025年下半年起，国内厂商就陆续发布重磅超节点方案，比如华为推出了384超节点，中科曙光则展示了scaleX640超节点方案。这一趋势使得Switch芯片的国产化水平变得至关重要，国内外政府对该环节的管控力度预计也会持续加强。在这一赛道中，寒武纪和盛科通信的表现必然的联系到国产算力方案的落地深度，尤其是第三方交换机芯片商能否绑定互联网大公司进入终端方案，将决定其在供应链中的话语权。

  端侧AI正在接力云端，成为2026年技术基建的核心，这种“云端训、端侧用、边侧补”的模式能够有效解决带宽成本、时延瓶颈和隐私安全等痛点。智能汽车、AI眼镜和机器人将成为端侧AI率先爆发的三大载体，而NPU加速技术则让这些终端设备能够流畅运行轻量化大模型。

  海外市场的端侧AI已进入实质性落地阶段，晶晨股份在谷歌智能家居生态中表现活跃，其新品已适配Gemini端侧大模型，涵盖智能音箱和摄像头等。

  国内方面，瑞芯微作为独立NPU架构的领军者，推出了面向端侧AI的专用协处理器RK182X系列。其中，RK1820内置2.5GB DDR，支持3B规模的模型推理，而RK1828则内置5GB DDR，能够承载7B规模的大语言模型推理需求。瑞芯微还规划了下一代RK1860芯片，算力将达到60-80 TOPS，并采用3D架构与近存计算技术。

  2026年被定义为3D DRAM的放量元年，这种高带宽、低成本且可拓展的存储架构是各端侧应用从“能用”转向“好用”的硬性条件。传统的2D DRAM升级在深宽比刻蚀和电容结构上逐渐趋缓，而3D DRAM的架构革新正好填补了机器人、AIoT和汽车领域对本地大模型部署的需求。

  目前，瑞芯微在2025年发布的RK1820和RK1828已经走通了3D DRAM的研发路径。由于主控芯片需要支持语音识别、视频分析和长上下文对话，这对存储的带宽提出了极高要求。除了消费电子领域，手机和云端推理场景也将在2026年下半年开始慢慢地导入该技术，兆易创新和北京君正等存储厂商正在积极对接SoC合作伙伴，预计2026年会有多款集成“NPU+定制化存储”方案的产品流片发布。

  端侧AI模型在2026年的主要进化方向是架构优化，以突破物理性能的瓶颈。云端模型主要负责提升复杂规划能力的上限，而端侧模型则通过蒸馏技术承接云端能力，并利用注意力复杂度降维、MTP等手段进行智能压缩，从而改善交互时延和执行成功率。

  在技术路线上，Agent呈现出“API优先、GUI兜底”的特征。API路径在合规性和稳定能力上占优，但其普及程度取决于利益分配机制是否成熟；而GUI路径则大多数都用在适配复杂的异构环境。生态格局方面，终端厂商凭借对OS的控制权接管了系统级入口，超级APP则倾向于构建应用内闭环并有选择地开放接口，第三方模型厂则依赖标准化的分成机制推进合作。

  2026年至2028年，海外头部厂商将集中推出AI终端新品。Meta、苹果、谷歌和OpenAI均在眼镜形态产品上重金布局，眼镜被认为是距离五官最近、最理想的可穿戴硬件。Meta预计在2026年推出不带显示和带LCOS显示的AI眼镜，2027年则计划推出双目Micro-LED AR眼镜。

  苹果除了在2026年推出纯音频AI眼镜和摄像头耳机外，还在规划2027年发布台灯形态的桌面机器人，该产品具备识别身体语言并表达意图的功能。此外，OpenAI也在开发口袋大小的便携式AI终端。这些新形态硬件的出现，直接拉动了SoC、电池、散热、通信和光学等关键零组件的升级需求，立讯精密等精密制造龙头有望深度参与这一轮创新周期。

  长鑫存储的上市进程明显地增强了其扩产的资本实力，DRAM产业链正进入新一轮景气上行通道。在国产存储加速替代的背景下，长鑫的资本开支有望保持高位，其产线建设的节奏和量级具备较强的确定性。

  技术层面，长鑫重点推进的CBA架构是DRAM向3D演进的关键路径。相比传统2D架构，CBA在晶体管结构上实现了重构，不仅能提升存储密度和性能，还为后续更高层数的堆叠奠定了基础。随着工艺复杂度的提升，CBA架构对光刻、刻蚀和量测设备提出了更高精度要求，产业链中的精智达和晶合集成将直接受益于这种技术迭代带来的订单增量。

  国内先进逻辑制程的供给一直处在紧平衡状态，尤其在7nm及以下节点，产能缺口很突出。在外部供应链不确定性加剧的背景下，国内系统厂商对本土先进制程的保供诉求显著上升。自2026年起，国内将开启一轮规模庞大的先进逻辑扩产周期。

  中芯国际旗下的中芯南方围绕N+2工艺节点（对应7nm级别）的产能扩建将是重头戏，华力微电子在14nm及以下领域也在持续加码。这种扩产态势正向第二梯队扩散，永芯、ICRD等厂商均规划了14nm产线。这一轮扩产不仅提升了晶圆代工的景气度，也将带动国产EDA、设备和材料体系的协同成熟。中芯和华虹作为头部标的，将持续享受这种需求溢价。

  英伟达Rubin系列机柜的发布，开启了PCB材料的价值跃升潮。下一代Rubin NVL144机柜新增了Midplane和网卡模组，而Rubin Ultra NVL576机柜则引入了革命性的正交背板方案来替代铜缆。由于信号传输速率要求超过224Gbps，PCB材料必须升级到M9级或PTFE等极低损耗基材。

  M9级材料的升级带动了上游石英布、HVLP4铜箔和碳氢树脂的量价齐升。石英布作为增强基材，其介电性能远优于传统玻纤布，目前全球产能高度集中，供给弹性较小。HVLP4铜箔此前长期被海外垄断，技术难点在于平衡表面粗糙度与剥离强度。随着AI服务器PCB层数从20层提升到40层以上，单机耗材量大幅度的增加，胜宏科技和菲利华等产业链公司将迎来高景气周期。

  2026年商用GPU需求攀升，CSP自研ASIC进入大规模部署期，这推升了光模块与铜缆的同步增长。在Scale-up维度，超节点爆发让机柜内芯片密度大幅度的提高，铜缆凭借短距传输的低损耗和低成本优势，成为谷歌TPU V7、亚马逊Trainium3和Meta Minerva机柜内互连的首选。例如，谷歌TPU V7单机柜64颗芯片通过80根铜缆实现互连，铜缆端口占比超过六成。

  而在Scale-out维度，1.6T光模块进入规模化落地期，芯片与光模块的配比持续提升。英伟达Rubin NVL 144在满配状态下，芯片与光模块的比例可达1:12。这种大规模集群的建设让高端光芯片的供给缺口日益凸显，长光华芯和华丰科技等掌握核心技术的厂商将在这一轮共振中占据主动权。

  AI大模型让数据中心从“计算密集型”转向“电力密集型”，传统供电体系在百千瓦级功率下已接近工程极限。英伟达在OCP峰会上提出的800V高压直流（HVDC）架构，成为了下一代AI工厂供电的主线逻辑。该架构通过在机房侧完成集中AC/DC转换，显著减少了能量转换环节，缩减了铜缆体积并提升了功率密度。

  这一重构带动了电源PCB的全面升级。在大电流场景下，PCB要提升铜箔厚度以增强载流能力，这不仅抬升了原材料成本，还对压合和钻孔工艺提出了更加高的要求。此外，嵌入式功率模块技术的应用，能够在同等功率下减少半导体用量。欧陆通、麦格米特、威尔高和中富电路等相关公司正在电源系统和高端PCB环节释放增长动能。

  云端算力：寒武纪、海光信息、芯原股份、灿芯股份、翱捷科技、盛科通信、中兴通讯

  端侧算力：晶晨股份、瑞芯微、恒玄科技、乐鑫科技、星宸科技、中科蓝讯、炬芯科技、泰凌微

  存储：兆易创新、澜起科技、江波龙、普冉股份、佰维存储、德明利、香农芯创、东芯股份、北京君正

  AI终端：立讯精密、信维通信、蓝特光学、水晶光电、舜宇光学科技、珠海冠宇、豪鹏科技

  PCB产业链：胜宏科技、沪电股份、深南电路、景旺电子、生益电子、生益科技、南亚新材、菲利华、隆阳电子、东材科技

  光铜互联：长光华芯、源杰科技、仕佳光子、华丰科技、长芯博创、沃尔核材、兆龙互连

上一篇:京泉华跌503%成交额605亿元近3日主力净流入-247亿

下一篇:2025口碑之巅！光伏电源厂商分析揭晓氢能源车载直流转换器全国产化电源车载光伏供应商推荐分析