区别一下MOS管的LDO原理而且怎么避免呈现反向电流？

  ：当Vout增大时，R2上电压增大，放大器输出电压增大，PMOS VGS电压减小，随后输出电流减小，输出电压也减小。

  来看这个电路，反应回路操控漏-源极电阻RDS，进行调理所需的输出电压，当VIN逐步挨近Vout时，差错放大器会将驱动栅-源极电压Vgs负向增大，削减RDS，坚持稳压状况。

  可是有一种状况是，在某些特定的点，差错放大器输出会在接地端到达一种饱和状况，无法驱动Vgs进一步负向增大。

  也便是说，因为输入电压的升高，Vgs会负向增大，那么压降电压就会跟着输入电压的增大而下降。

  在NMOS架构的LDO中，反应回路仍旧操控着Rds,可是跟着输入电压挨近于输出电压，差错放大器会增大 VGS 以此来下降 RDS，坚持稳压状况。

  相同，在特定的点，VGS 会无法再升高，差错放大器输出在电源电压 VIN 下会到达饱和状况。

  不过，差错放大器输出在 VIN 处会到达饱和状况，跟着 VIN 挨近 VOUT(nom)，VGS 也会下降，这能够有用的防备超低压降的呈现。

  一般NMOS的LDO会选用辅佐电压轨，也便是这一个偏置电压。它能够让LDO坚持高Vgs，在低输出电压下到达超低压降，有时没能供给辅佐电压轨，但也能够在较低输出电压下到达低压降，这时能够用内部电荷泵来替代。

  本来电流方向是从输入电压流向输出电压，可是却从输出电压流向输入电压了，这种电流经常会穿过LDO的体二极管，不会流过正常的导电通道，它可能会导致器材温度上升，呈现电搬迁或闩锁效应，引发器材损坏问题。