【48812】高功能InGaAs单行载流子探测器芯片获得重大进展

  我国科学技术大学王亮教授和韩正甫教授课题组研制的InGaAs单行载流子探测器芯片获得重大进展。该研讨团队经过规划优化外表等离激元结构，开发成功低暗计数、高呼应度、高带宽的单行载流子探测器芯片，为近红外探测器功能提高供给了开创性的办法，相关研讨成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiode”为题，宣布在电子工程技术领域的闻名期刊ACS Applied Electrical上。

  根据等离基元结构的InGaAs资料的单行载流子探测器芯片具有极高带宽，低暗电流和高呼应度，为近红外高速笔直光电二极管的规划供给了一种新式的办法。为应用于数据中心的光接纳模块供给了中心芯片，打破未来更高速光模块开发的要害硬件技术壁垒

  王亮教授研讨团队经过调整MOCVD的温度、V/III比、掺杂浓度等成长参数完成低缺点密度和高掺杂精度的外延结构成长。在单行载流子器材结构的基础上提出并规划了新式的外表等离激元增强单行载流子探测器，使用光在金属外表的局域外表等离激元效应，增强吸收区关于光信号的吸收。研讨团队的所制作的器材具有0.12A/W的高呼应度，在-3 V偏压下具有2.52 nA的暗电流，当芯片结区面积小于100 μm2时3dB带宽超越40 GHz。比较于同类器材，呼应度增强了147%，具有更高的信噪比，为高速光互联网络供给优质国产化芯片。

  我国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授为该论文的通讯作者，博士研讨生张博健为该论文的榜首作者。本项研讨得到国家科技部、国家自然科学基金和安徽省科技厅的赞助，也得到了我国科大物理学院、我国电子科技集团第13研讨所、我国科大微纳研讨与制作中心、我国科学院量子信息要点实验室的支撑。